뉴스

• 바스프, 전력반도체 IGBT용 PPA 상용화

  바스프가 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 하우징 제조에 적합한 폴리프탈아미드(PPA) 소재를 개발했다고...

  www.etnews.com 2024-10-24
• 비테스코, 인피니언 'CoolGaN' 통해 최고 전력밀도 DCDC 컨버터 개발

  GaN 기반 트랜지스터의 장점은 상당하나, 더욱 중요한 것은 100kHz에서 250kHz 이상으로 향상된 높은 <...

  zdnet.co.kr 2024-08-19
• 마우저-온세미, SiC 전력 전자장치 조명한 전자책 발간

  에너지 소비가 적기 때문에 고가인 배터리를 더 적게 사용할 수 있게 해준다.NCP51705 게이트 드라이버는 기본적으로 SiC MOSFET

  zdnet.co.kr 2024-08-16
• 인피니언, AI 서버용 신규 CoolSiC MOSFET 400V 제품군 출시

  또한 DC/DC 스테이지에 CoolGaN 트랜지스터를 구현하여 AI 서버 PSU 용 시스템 솔루션을 완성했다. 또...

  zdnet.co.kr 2024-06-26
• 韓 최초 GaN 전력반도체 양산 앞둔 칩스케이…"2026년 IPO 추진"

  전기의 흐름을 제어하는 스위칭 속도도 빠르다.다만 GaN은 설계 및 제조공정 면에서 기술적 진입장벽이 높다. 회사...

  zdnet.co.kr 2024-06-19
• SK키파운드리, 차세대 전력반도체 GaN 소자 특성 확보...연내 개발 완료

  GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어, 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형...

  zdnet.co.kr 2024-06-19
• SK키파운드리 “650V GaN HEMT 연내 개발 완료”

  SK키파운드리는 650볼트(V) 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 소자 특성을 확보하고 연내 ...

  www.etnews.com 2024-06-19