뉴스

• 로옴, 업계 최고 수준 저손실 특성·높은 단락 내량 실현한 '1200V IGBT' 개발

  HV 히터, 산업기기 인버터 등을 타겟으로 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하고 1200V 내압으로 업계 최고 수준의 저손실 특성과...

  www.etnews.com 2024-11-07
• 로옴, 저손실 특성·단락 내량 뛰어난 1200V IGBT 개발

  [지디넷코리아]로옴(ROHM)은 자동차기기 신뢰성 규격 'AEC-Q101'에 준거하고, 업계 최고 수준의 저손실 특성과 높은 단락 내량을 실현한...

  zdnet.co.kr 2024-11-07
• 바스프, 전력반도체 IGBT용 PPA 상용화

  바스프가 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 하우징 제조에 적합한 폴리프탈아미드(PPA) 소재를 개발했다고...

  www.etnews.com 2024-10-24
• 넥스젠파워, 실리콘 IGBT 전력반도체 출시…“한국 시장 공략”

  중국 수출에 주력해온 넥스젠파워가 고전력용 실리콘 IGBT 첫 제품을 출시하고 한국 시장 공략에 나선다. 넥스젠파...

  www.etnews.com 2024-08-25
• 매그나칩, TO247PLUS 패키지 1200V IGBT 신제품 출시

  매그나칩반도체 유한회사(이하 매그나칩)가 태양광 인버터에 특화된 TO-247PLUS 패키지 1200V 75A 절연 게이트 양극성 트랜지스터(

  www.etnews.com 2024-07-30
• LB세미콘, 계열사 LB루셈 흡수합병 결정…"시너지 효과 도모"

  WLP(웨이퍼레벨패키지)·FO(팬아웃)WLP, 웨이퍼 테스트, DPS(다이 프로레스 서비스)에, DDI(디스플레이구동칩) COF 패키지, Pow...

  zdnet.co.kr 2024-10-18
• 인피니언, 실리콘과 SiC 결합한 '전력 모듈' 출시

  인피니언의 CoolSiC 기술 및 실리콘 IGBT EDT3 기술의 고속 턴온 기능으로 싱글 게이트 드라이버 또는 ...

  zdnet.co.kr 2024-10-16